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ケイ素(14番 Si) vs ゲルマニウム(32番 Ge) — 半導体元素の比較

Why Silicon overtook Germanium in mainstream chips while Germanium remains king of fiber optics and IR.

🏆 한줄 결론: Silicon dominates mainstream integrated circuits thanks to thermal stability and abundant silica, while Germanium excels in high-speed SiGe RF, fiber optics, and infrared lenses.

📊 ケイ素 (Silicon)(Si) vs ゲルマニウム (Germanium)(Ge) 수치 정밀 대조

비교 항목 (단위)#14 ケイ素 (Silicon) (Si)#32 ゲルマニウム (Germanium) (Ge)
표준 원자량 (u)28.08572.63
주기 · 족 · 구역3주기 · 14족 (p)4주기 · 14족 (p)
밀도 (g/cm³)2.32965.323
녹는점 (°C / K)1413.85°C (1687K)938.25°C (1211.4K)
끓는점 (°C / K)3264.85°C (3538K)2832.85°C (3106K)
폴링 전기음성도 / 원자 반지름 (pm)1.9 / 111 pm2.01 / 125 pm
전자 배치 · 껍질[Ne] 3s² 3p² [2-8-4][Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p² [2-8-18-4]

🔍 핵심 항목별 승부처 해설

내열성(녹는점)과 고온 작동우위: Si

규소의 녹는점(1,414°C)이 저마늄(938°C)보다 훨씬 높아 칩이 뜨거워져도 안정적으로 동작합니다.

전자 이동 속도와 적외선 광학우위: Ge

저마늄은 전자 이동도가 빠르고 적외선을 투명하게 통과시켜 열화상 렌즈와 광통신에 필수적입니다.

#14 ケイ素 (Silicon) (Si)

도감 상세 →
#14 Si · [Ne] 3s² 3p²전자 껍질: [2 - 8 - 4] (p-오비탈)
Si

#32 ゲルマニウム (Germanium) (Ge)

도감 상세 →
#32 Ge · [Ar] 3d¹⁰ 4s² 4p²전자 껍질: [2 - 8 - 18 - 4] (p-오비탈)
Ge